特許
J-GLOBAL ID：200903054112194949
対向マグネトロン複合スパッタ装置および薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-116884
公開番号（公開出願番号）：特開平11-310874
出願日： 1998年04月27日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【課題】 従来不可能であった周辺部のスパッタ効率を高め、より高速でターゲット利用効率を高めること。ターゲット中心部への磁束の集中がなく、アーク放電の少ない安定したスパッタを長時間持続すること。【解決手段】 スパッタ面が対向するように配置されたターゲットと、該ターゲットの背面に設けられた前記スパッタ面に垂直な方向に磁界を発生させるための磁界発生手段とを備え、スパッタ面の側方の空間に対面するように配置してある基板上に膜を形成する対向マグネトロン複合スパッタ装置において、一対の対向する第1、第2ターゲットを所定の間隔で対向する同心形状でスパッタ面が外側ターゲットの内面および内側ターゲットの外面で磁界発生手段が内側ターゲットから外側ターゲットへ放射状に発生させる手段を有し、スパッタ面の片側一方の該空間に対向するように無終端形状の第3のターゲットを配置し、スパッタリングガスを放電空間に供給するようにシャワーノズルS1,S2をターゲットT3と一対のターゲットT1,T2との間に配置したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1のターゲットからなる第1のスパッタ面に、第2のターゲットからなる第2のスパッタ面が対向するように該第1および第2のターゲットを配設するための対向ターゲット配置手段と、前記第1のスパッタ面と前記第2のスパッタ面との間の空間に対向して第3のスパッタ面が位置するように第3のターゲットを配置するためのターゲット配置手段と、前記第1のターゲットと前記第2のターゲットと前記第3のターゲットで囲まれた空間の開口に対向して基板を配置するための基板保持部材と、前記第1および第2のスパッタ面に垂直な方向に磁界を発生させるための磁界発生手段とを有するスパッタ装置であって、前記第1のターゲットと前記第3のターゲットとの間に第1のシャワーノズルを有し、前記第2のターゲットと前記第3のターゲットとの間に第2のシャワーノズルを有することを特徴とするスパッタ装置。
FI (3件)：
C23C 14/34 D
, C23C 14/34 B
, C23C 14/34 M
