特許

J-GLOBAL ID：200903054113784014

曲面形成方法および光学素子

発明者： 梅木 和博 ,  吉田 孝勝
出願人/特許権者： リコー光学株式会社
代理人 (1件)： 樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-357443
公開番号（公開出願番号）：特開2001-174607
出願日： 1999年12月16日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】従来にない全く新たな方法で選択比を変化させて曲面形成を行う新規な方法と、この方法により光学的曲面を形成された光学素子を提供する。【解決手段】基板10上に形成されたレジスト層12に所望の第1表面形状を形成し、第1表面形状を出発形状として、基板10とレジスト層12とに対して反応性イオンエッチングを行いつつ、エッチングの選択比を制御して、第1表面形状を、所望の第2表面形状に変形して基板10に転写する曲面形成方法において、反応性イオンエッチングを行う反応性イオンエッチング装置における、上部電極RFパワー、基板バイアスRFパワー、コイル電流、基板温度のうちの任意の1を変化させることにより、エッチングの選択比を変化させる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたレジスト層に所望の第1表面形状を形成し、上記第1表面形状を出発形状として、上記基板とレジスト層とに対して反応性イオンエッチングを行いつつ、エッチングの選択比を制御して、上記第1表面形状を、所望の第2表面形状に変形して上記基板に転写する曲面形成方法において、反応性イオンエッチングを行う反応性イオンエッチング装置における、上部電極RFパワー、基板バイアスRFパワー、コイル電流、基板温度のうちの任意の1を変化させることにより、エッチングの選択比を変化させることを特徴とする曲面形成方法。

IPC (3件)：

G02B 3/08 ,  G03F 7/40 521 ,  B29D 11/00

FI (3件)：

G02B 3/08 ,  G03F 7/40 521 ,  B29D 11/00

Fターム (12件)：

2H096AA00 ,  2H096AA28 ,  2H096CA20 ,  2H096HA14 ,  2H096HA23 ,  2H096HA24 ,  2H096JA04 ,  4F213AH74 ,  4F213WA40 ,  4F213WA53 ,  4F213WA86 ,  4F213WB01