特許
J-GLOBAL ID：200903054115384862
半導体装置および二次電池電源装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-065771
公開番号（公開出願番号）：特開平6-284589
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】ループ電流を防止しながら堰層電圧を有することの無い二次電池電源装置、およびこれに適した半導体装置を提供する。【構成】半導体装置3は、nチャンネルエンハンスメント形MOSFET(以降、nEMOSと略称)4と、電圧比較器5で構成される。nEMOS4は、ゲートに入力される信号4aがハイレベルである場合にドレインとソース間が導通状態に、信号4aがローレベルである場合にドレインとソース間が非導通状態となる素子で、その構造から寄生ダイオード41を有している。電圧比較器5は、反転入力端子、非反転入力端子、出力端子を備えており、これ等の端子はそれぞれnEMOS4のドレイン,ソース,ゲートに接続され、その出力端子から、ソースの電位がドレインの電位よりも高い場合には,ハイレベルの信号5aを出力し、これと逆に、ドレインの電位がソースの電位よりも低い場合には,ローレベルの信号5aを出力する。
請求項（抜粋）：
ドレイン,ソースおよびゲートを有するユニポーラ型トランジスタと、電圧比較器を備え、前記電圧比較器は、反転入力端子,非反転入力端子および出力端子を備え、反転入力端子は前記ドレインに,非反転入力端子は前記ソースに,またその出力端子は前記ゲートにそれぞれ接続されて、ドレインの電位がソースの電位よりも高電位となるとユニポーラ型トランジスタをオフさせ,またドレインの電位がソースの電位よりも低い電位となるとユニポーラ型トランジスタをオンさせる信号をその出力端子から出力するものであり、前記ユニポーラ型トランジスタは、前記の信号をゲートに入力し、この信号に応じてオン・オフ制御されるものである、ことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H02J 7/00 302
, H01M 10/44
