特許

J-GLOBAL ID：200903054118828478

硬質炭素膜の成膜方法

発明者： 川島 敦道 ,  天野 俊二 ,  本庄 禎治 ,  林 弘志 ,  宮井 清一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-350707
公開番号（公開出願番号）：特開平10-194888
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月28日
要約：

【要約】【課題】 成膜速度が大きく、かつ、十分な硬度や耐久性を有する硬質炭素膜を形成する、硬質炭素膜の成膜方法。【解決手段】 無置換の若しくは置換された炭化水素基を有する熱力学的に不安定な化合物を分解し、この分解生成物の結合によって硬質炭素膜を形成する、硬質炭素膜の成膜方法。

請求項（抜粋）：

無置換の若しくは置換された炭化水素基を有する熱力学的に不安定な化合物を分解し、この分解生成物の結合によって硬質炭素膜を形成する、硬質炭素膜の成膜方法。

IPC (6件)：

C30B 29/04 ,  C01B 31/06 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  G11B 5/84 ,  G11B 5/72

FI (6件)：

C30B 29/04 B ,  C01B 31/06 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  G11B 5/84 B ,  G11B 5/72

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭62-103367
  
• 特開昭61-127896
  
• 特開平1-261299
  
• 特開平2-116609
  
• 炭素材料作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-348219   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所