特許

J-GLOBAL ID：200903054127505606

散乱面形成方法、液晶表示装置の製造方法および電子機器

発明者： 松尾 睦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028682
公開番号（公開出願番号）：特開2000-227610
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 ガラス基板や半導体基板などの表面に、良好な散乱特性を有する反射面を、選択的に形成する。【解決手段】 第1に、例えば、プラズマで発生するラジカルF*などによって、基板200の表面に、基板200よりもエッチングされ易い変質層202を形成し、第2に、変質層202の上面に、円形状の開口部分が複数設けられるようにパターニングしたレジスト層203を形成し、第3に、基板200および変質層202を例えばフッ酸系水溶液でウェットエッチングして、基板200の表面になめらかな傾斜を有する凹部238を多数形成し、第4に、凹部238が形成された領域を含む基板200の表面に、アルミニウムなどの光反射層を形成する。

請求項（抜粋）：

基板の表面に、前記基板よりもエッチングされ易い変質層を形成する第1のプロセスと、前記変質層の表面に、所定の形状にパターニングしたレジスト層を形成する第2のプロセスと、前記基板および変質層をエッチングする第3のプロセスと、前記第3のプロセスによりエッチングされた基板の表面に、光反射層を形成する第4のプロセスとを備えることを特徴とする散乱面形成方法。

IPC (5件)：

G02F 1/1365 ,  G02B 5/02 ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/00 318 ,  G09F 9/00 346

FI (5件)：

G02F 1/136 505 ,  G02B 5/02 A ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/00 318 C ,  G09F 9/00 346 A

Fターム (35件)：

2H042BA03 ,  2H042BA15 ,  2H042BA20 ,  2H092JA03 ,  2H092JB12 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB56 ,  2H092KA07 ,  2H092KB04 ,  2H092KB14 ,  2H092MA05 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA24 ,  2H092MA32 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA25 ,  2H092PA06 ,  2H092PA12 ,  5G435BB12 ,  5G435BB16 ,  5G435CC09 ,  5G435EE37 ,  5G435EE47 ,  5G435FF03 ,  5G435KK05 ,  5G435KK09 ,  5G435LL07