特許
J-GLOBAL ID：200903054128005585
セラミツクハニカム構造体の焼成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-251661
公開番号（公開出願番号）：特開平5-085856
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月06日
要約：
【要約】【目的】 吸水率、熱膨張率等の製品特性を同時に最適化することのできるセラミックハニカム構造体の焼成方法を提供する。【構成】 所定組成のコージェライト原料をハニカム構造体に押し出し成形後の焼成を、ハニカム構造体の熱収縮する温度域の昇温速度を60°C/Hr 以下とし、ハニカム構造体の固相反応が進む温度域における昇温速度を80°C/Hr 以上とするとともに、液相反応が進む温度域における昇温速度を60°C/Hr 以下とする。
請求項（抜粋）：
主成分の化学組成がSiO2:42〜56重量%、Al2O3 :30〜45重量%、MgO :12〜16重量%で結晶相が主としてコージェライトから成るように、タルク、カオリン及び他のコージェライト化原料を調合しハニカム構造体に押し出し成形後、ハニカム構造体を所定の雰囲気、所定の温度の状態下で焼成する方法において、ハニカム構造体の熱収縮する温度域の昇温速度を60°C/Hr 以下とし、ハニカム構造体の固相反応が進む温度域における昇温速度を80°C/Hr 以上とするとともに、液相反応が進む温度域における昇温速度を60°C/Hr 以下とすることを特徴とするセラミックハニカム構造体の焼成方法。
IPC (5件)：
C04B 38/00 304
, B28B 3/20
, B28B 3/26
, C04B 35/16
, C04B 35/64
