特許
J-GLOBAL ID：200903054133570053
窒化けい素回路基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217376
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064235
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】窒化けい素焼結体が本来備える高強度高靭性特性を利用し、さらに熱伝導率が高く放熱性に優れるとともに耐熱サイクル特性を大幅に改善した窒化けい素回路基板を提供する。【解決手段】60W/m・K以上の熱伝導率を有する高熱伝導性窒化けい素基板2上に、WまたはMoを主成分とする高融点金属から成る回路層3を形成した窒化けい素回路基板1において、上記高融点金属から成る回路層4と高熱伝導性窒化けい素基板2との密着強度が3kgf/mm2 以上であることを特徴とする。また高熱伝導性窒化けい素基板2および回路層3は同時焼成法により形成してもよい。
請求項（抜粋）：
60W/m・K以上の熱伝導率を有する高熱伝導性窒化けい素基板上に、WまたはMoを主成分とする高融点金属から成る回路層を形成した窒化けい素回路基板において、上記高融点金属から成る回路層と高熱伝導性窒化けい素基板との密着強度が3kgf/mm2 以上であることを特徴とする窒化けい素回路基板。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 23/14 C
, C04B 35/58 102 C
, C04B 35/58 102 P
, C04B 35/58 102 Z
