特許

J-GLOBAL ID：200903054136342507

非単結晶薄膜のレーザー結晶化方法

発明者： 前川 茂樹 ,  吉岡 達男 ,  小林 郁典
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-151365
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345783
出願日： 1998年06月01日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：

【要約】【課題】 パルスレーザービームの強度ムラに起因する結晶化薄膜の結晶化ムラを防止する。また、結晶化薄膜を用いて作製される素子の均一性及び歩留まりを向上させる。【解決手段】 基板上の非単結晶薄膜2に対してパルスレーザービーム1を走査させて重畳照射することにより結晶化する方法であって、パルスレーザービーム1を走査させて重畳照射する工程を複数回行い、各々の走査方向軸が互いに5〜90度の角度をなすようにする。

請求項（抜粋）：

基板上の非単結晶薄膜に対してパルスレーザービームを走査させて重畳照射することにより結晶化する方法であって、前記パルスレーザービームを走査させて重畳照射する工程を複数回行い、各々の走査方向軸が互いに5〜90度の角度をなすことを特徴とする非単結晶薄膜のレーザー結晶化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/268 F ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G