特許

J-GLOBAL ID：200903054137689993

半導体装置

発明者： 石田 隆司
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-352246
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166802
出願日： 1991年12月13日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 熱処理過程におけるシリコン窒化膜の応力がアルミニウム配線に作用しないようにして配線の信頼性を高める。【構成】 シリコン基板2の表面には絶縁膜を介してアルミニウム配線4が形成され、アルミニウム配線4を被うように二層構造のシリコン窒化膜6,8が保護膜として形成されている。シリコン窒化膜6はSi-H結合よりもN-H結合の割合の方が多い窒素リッチなシリコン窒化膜であり、シリコン窒化膜8は逆にSi-H結合の方がN-H結合よりも多いシリコンリッチなシリコン窒化膜である。これにより、熱処理時の熱ストレスによる応力変化が少なくなり、アルミニウム配線にボイドが発生するのが防止される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられたアルミニウム配線層上を被うように保護膜が設けられている半導体装置において、前記保護膜は昇温過程の後に降温過程を含む熱処理による応力の絶対値の変化が高い方へ推移した後に元へ戻る特性をもつシリコン窒化膜と、前記熱処理による応力の絶対値の変化が低い方へ推移した後に元へ戻る特性をもつシリコン窒化膜との積層構造となっていることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-035327
  
• 特開平2-187030
  
• 特開平2-084729