GaNベースの発光薄膜半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-528326
公開番号（公開出願番号）：特表2005-535143
出願日： 2003年06月20日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：

本発明はGaNベースの多層構造体(12)を備えた発光薄膜半導体素子に関する。この多層構造体はビーム形成アクティブ領域(14)を包含し、第1の主面(16)およびこの第1の主面とは反対側にビーム形成アクティブ層(14)において形成されたビームを出力結合するための第2の主面(18)を有する。さらには前記多層構造体(12)の第1の主面(16)は反射層ないし境界面と結合されており、多層構造体の第2の主面(18)と接する多層構造体の領域(22)は1次元または2次元に凸状の隆起部(26)を有するよう構造化されている。

請求項（抜粋）：

GaNベースの多層構造体(12)を備えた発光薄膜半導体素子であって、前記多層構造体(12)はビーム形成アクティブ層(14)を包含し、第1の主面(16)および該第1の主面(16)とは反対の側に前記ビーム形成アクティブ層において形成されたビームを出力結合する第2の主面(18)を有する、半導体素子において、前記多層構造体(12)の前記第1の主面(16)は反射層ないし境界面と結合されており、前記多層構造体(12)の前記第2の主面(18)は1次元または2次元に構造化されていることを特徴とする、半導体素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (10件)：

5F041AA03 , 5F041CA12 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA88 , 5F041CB15 , 5F041CB36 , 5F041DA04 , 5F041DA09

引用特許：

審査官引用 (5件)

LEDおよびLEDの組立方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-024950 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-320372 出願人：三洋電機株式会社
精細パタ-ンが形成された反射接触部を備える発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-231279 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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