半導体圧力センサ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-145731
公開番号（公開出願番号）：特開2000-337984
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】破壊耐圧を高めた半導体圧力センサを提供する。【解決手段】半導体圧力センサAは、シリコン基板の裏面をエッチングして凹所3を設けることにより形成されたダイヤフラム2の主表面側にピエゾ抵抗素子からなるゲージ抵抗4が形成されたセンサチップ1と、凹所3に連通する貫通孔5を有し、センサチップ1に陽極接合されたガラス台座6と、貫通孔5に連通する圧力導入孔8を有し、ガラス台座6が固定された圧力導入管7とを備えている。圧力導入管7におけるガラス台座6が接合された面には、センサチップ1の側面及びガラス台座6の側面を取り囲むようにして覆い部9が立設されており、センサチップ1の側面及びガラス台座6の側面は半田などのろう材11によって圧力導入管7に固定されている。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の裏面側をエッチングして凹所を設けることにより形成されたダイヤフラムの表面側にピエゾ抵抗素子が形成されたセンサチップと、前記凹所に連通する貫通孔を有しセンサチップの裏面に接合された台座と、前記貫通孔に連通する圧力導入孔を有し台座が固定された圧力導入管とを備え、センサチップにおける台座との接合面以外の面を圧力導入管に固定する固定部材を設けたことを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (3件)：

G01L 9/04 101 , G01L 19/00 , H01L 29/84

FI (3件)：

G01L 9/04 101 , G01L 19/00 A , H01L 29/84 B

Fターム (19件)：

2F055AA40 , 2F055BB20 , 2F055CC02 , 2F055DD05 , 2F055EE14 , 2F055FF49 , 2F055GG01 , 2F055GG12 , 2F055GG14 , 2F055HH05 , 4M112AA01 , 4M112BA01 , 4M112CA15 , 4M112CA16 , 4M112DA04 , 4M112DA18 , 4M112EA02 , 4M112EA13 , 4M112GA01

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