特許
J-GLOBAL ID：200903054142647980
窒化物系化合物半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-018007
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214998
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】 窒化物系族化合物半導体装置において、窒化物系化合物半導体は、極めて熱的、化学的に安定な材料であるため、金属電極とほとんど反応しないため、金属電極が剥がれ易いと言った機械的強度に問題があった。従って、本発明の目的は、剥離などのない機械的強度の大きい電極構造を有する半導体装置を提供することである。【解決手段】 窒化物系化合物半導体からなるコンタクト層の上に金属電極が形成された窒化物系化合物半導体装置において、前記コンタクト層は、前記金属電極側より多結晶から単結晶へ結晶性を変化させたものである窒化物系化合物半導体装置を提供する。
請求項（抜粋）：
窒化物系化合物半導体からなるコンタクト層の上に金属電極が形成された窒化物系化合物半導体装置において、前記コンタクト層は、前記金属電極側に向かって単結晶から多結晶へ結晶性を連続的に変化させたことを特徴とする窒化物系化合物半導体装置。
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
出願人引用 (1件)
-
1996年(平成8年)秋季第57回応用物理学会学術講演会予稿集, 1996, 第1分冊 10a-ZF-9, p.298
審査官引用 (1件)
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1996年(平成8年)秋季第57回応用物理学会学術講演会予稿集, 19960907, 第1分冊 10a-ZF-9, p.298
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