特許

J-GLOBAL ID：200903054144221352

結晶成長用サセプタとこれを用いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハとその製造方法

発明者： 長谷川 博之 ,  浜野 学 ,  山岡 智則 ,  新屋敷 浩 ,  手塚 和男
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-179022
公開番号（公開出願番号）：特開2001-010894
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2001年01月16日
要約：

【要約】【課題】 結晶成長用サセプタとこれを用いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハとその製造方法において、エピタキシャル成長において面内の膜厚均一性および不純物濃度均一性を向上させること。【解決手段】 高温状態の基板W上に反応ガスを流して基板表面に結晶を成長させる際に、基板を載置領域12aの表面に載置した状態で加熱される板状の結晶成長用サセプタ12であって、前記載置領域の周縁部は、その単位面積当たりの熱容量が載置領域の中央部より小さくされている。

請求項（抜粋）：

高温状態の基板上に反応ガスを流して基板表面に結晶を成長させる際に、基板を載置領域の表面に載置した状態で加熱される板状の結晶成長用サセプタであって、前記載置領域の周縁部は、その単位面積当たりの熱容量が載置領域の中央部より小さくされていることを特徴とする結晶成長用サセプタ。

IPC (2件)：

C30B 25/12 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C30B 25/12 ,  H01L 21/205

Fターム (20件)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BA04 ,  4G077DB05 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EB04 ,  4G077ED04 ,  4G077EG04 ,  4G077HA06 ,  5F045AC05 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB04 ,  5F045DP04 ,  5F045DP28 ,  5F045EB15 ,  5F045EK03 ,  5F045EK14 ,  5F045EM02