半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-101584
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289323
出願日： 1996年04月23日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 SOI基板を用いて、製造期間が短く、かつ、コストを減少させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 SOI基板1の活性シリコン層1cの素子間分離を行うことにより複数の素子分離領域8を形成し、素子分離領域8が形成された面全面にNウェル領域形成用の不純物のイオン注入を行った後、Pウェル領域形成用マスク9を用いてNウェル領域形成用の不純物のイオン注入を行う。次に、P型高濃度不純物拡散用マスク10を用いて2種類の不純物のイオン注入を行った後に、N型高濃度不純物拡散用マスク11を用いて2種類の不純物のイオン注入を行う。続いて、絶縁膜1bの所望の位置にポリシリコン層7aを堆積させた後、抵抗値調整を行い、所定形状にパターニングすることによりポリシリコン抵抗7を形成する。そして、素子分離領域8及びポリシリコン抵抗7上にゲート酸化膜12を形成して、コンタクトホール13を形成し、最後に、金属配線14を形成する。

請求項（抜粋）：

支持体シリコン基板と該支持体シリコン基板上に形成された絶縁膜と該絶縁膜上に形成された活性シリコン層とが一体的に構成されたSOI基板の活性シリコン層の所望の位置を、前記絶縁膜に到達するまでエッチングを行うことにより前記活性シリコン層から成る複数の素子分離領域を形成し、前記SOI基板の前記素子分離領域が形成された面全面にNウェル領域形成用の不純物のイオン注入を行うことによりPMOS形成用の前記素子分離領域のMOS構造における閾値を制御し、前記PMOS形成用の前記素子分離領域上にフォトレジストを塗布し、NMOS形成用の前記素子分離領域上にはフォトレジストを塗布しないようにして、Pウェル領域形成用の不純物のイオン注入を行うことにより前記NMOS形成用の前記素子分離領域のMOS構造における閾値を制御した後、前記フォトレジストを除去し、所望の位置にフォトレジストを塗布して前記PMOS及びNMOSのソース及びドレイン領域形成用の不純物のイオン注入を行った後、前記フォトレジストを除去し、前記素子分離領域上に熱酸化によりゲート酸化膜を形成して該酸化膜の所望の位置に前記素子分離領域に到達する開口部を形成し、該開口部を埋め込むように金属配線を行うことによりCMOSを形成するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , H01L 21/265 , H01L 21/762 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/08 331 , H01L 29/861

FI (8件)：

H01L 29/78 613 A , H01L 27/08 331 E , H01L 21/265 Z , H01L 21/76 D , H01L 27/04 P , H01L 27/04 C , H01L 29/78 613 Z , H01L 29/91 E

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