特許

J-GLOBAL ID：200903054150613670

面発光半導体レーザ素子

発明者： 内山 誠治
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-223789
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058409
出願日： 1993年08月17日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 しきい値電流が低い面発光半導体レーザ素子を提供する。【構成】 半導体基板11と、該半導体基板11上に設けられた活性層13を含む半導体層と、該半導体層上に設けられた半導体多層膜からなる分布ブラッグ反射鏡19とを備え、前記分布ブラッグ反射鏡19には垂直方向にレーザ光を出射する光出射部を有し、光出射部側に設けられた第1電極20と、前記半導体基板11側に設けられた第2電極21とを備えた面発光半導体レーザ素子において、前記半導体層と分布ブラッグ反射鏡19との間に電流拡散層17を設け、第1電極20は前記電流拡散層17上に分布ブラッグ反射鏡19を介さずに設ける。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板上に設けられた活性層を含む半導体層と、該半導体層上に設けられた半導体多層膜からなる分布ブラッグ反射鏡とを備え、前記分布ブラッグ反射鏡には垂直方向にレーザ光を出射する光出射部を有し、光出射部側に設けられた第1電極と、前記半導体基板側に設けられた第2電極とを備えた面発光半導体レーザ素子において、前記半導体層と分布ブラッグ反射鏡との間に電流拡散層を設け、第1電極は前記電流拡散層上に分布ブラッグ反射鏡を介さずに設けたことを特徴とする面発光半導体レーザ素子。