特許

J-GLOBAL ID：200903054166096721

コバルトシリサイド膜の形成方法

発明者： 千葉 安浩
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-202661
公開番号（公開出願番号）：特開平10-045416
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月17日
要約：

【要約】【課題】 細線効果を生じない低抵抗のコバルトシリサイド膜の形成方法を提供する。【解決手段】 シリコンを含む半導体層3,4上にコバルト膜6を形成する工程と、これにランプアニールによる第1の熱処理を行ってコバルトシリサイド膜7を形成する工程と、未反応のコバルト膜6を除去する工程と、コバルトシリサイド膜7にランプアニールによる第2の熱処理を行う工程を有してコバルトシリサイド膜8を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコンを含む半導体層上にコバルト膜を形成する工程と、コバルト膜にランプアニールによる第1の熱処理を行ってコバルトシリサイド膜を形成する工程と、未反応のコバルト膜を除去する工程と、上記コバルトシリサイド膜にランプアニールによる第2の熱処理を行う工程を有することを特徴とするコバルトシリサイド膜の形成方法。

IPC (4件)：

C01G 51/00 ,  C01B 33/06 ,  C22F 1/10 ,  C23C 14/06

FI (4件)：

C01G 51/00 C ,  C01B 33/06 ,  C22F 1/10 ,  C23C 14/06 E