特許
J-GLOBAL ID:200903054173225634

フレーム位相同期回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 工藤 宣幸
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-307359
公開番号(公開出願番号):特開平9-148999
出願日: 1995年11月27日
公開日(公表日): 1997年06月06日
要約:
【要約】【課題】 メモリ容量が少ない、一方のアドレスとして2個用意する必要がない、スリップの発生を低減できるフレーム移送同期回路を実現する。【解決手段】 メモリ7として1フレーム分の容量のものを適用する。また、入力系からの伝送信号を可変移相させて上記メモリ7に与える、入力系クロックと取込系クロックに対する位相変化量に応じて移相可能範囲が定められている第1の可変移相手段1、3と、入力系フレームパルスを可変移相させて書込アドレス発生部6に与える、移相可能範囲が第1の可変移相手段と同様に定められている第2の可変移相手段2、4とを備える。さらにメモリ7に対する書込位相と読出位相との関係を検出して、かつ位相変動量の傾向から第1及び第2の移相量を決定する移相手段5を備える。
請求項(抜粋):
入力系フレームパルス及び入力系クロックに基づいて書込アドレス発生部が形成した書込アドレスに従って、入力系からの伝送信号をエラスティックストアメモリに書込むと共に、取込系フレームパルス及び取込系クロックに基づいて読出アドレス発生部が形成した読出アドレスに従って、エラスティックストアメモリに格納されている伝送信号を読出し、入力系及び取込系のフレーム同期及びクロック乗換えを行うフレーム位相同期回路において、上記エラスティックストアメモリとして、1フレーム分の容量のものを適用すると共に、入力系からの伝送信号を可変移相させて上記エラスティックストアメモリに与える、上記入力系クロックの上記取込系クロックに対する位相変動量に応じて移相可能範囲が定められている第1の可変移相手段と、入力系フレームパルスを可変移相させて上記書込アドレス発生部に与える、移相可能範囲が上記第1の移相可変手段と同様に定められている第2の可変移相手段と、上記エラスティックストアメモリに対する書込位相と読出位相との関係を検出し、検出した上記位相差及びその変動量の傾向に応じて上記第1及び第2の可変移相手段の移相量を決定する移相量制御手段とを備えたことを特徴としたフレーム位相同期回路。
IPC (3件):
H04J 3/06 ,  H04L 7/00 ,  H04L 7/08
FI (3件):
H04J 3/06 C ,  H04L 7/00 A ,  H04L 7/08 A

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