特許
J-GLOBAL ID：200903054181647530
半導体レーザの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-186157
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018085
出願日： 1995年06月28日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【目的】 リッジ構造の半導体レーザの作製工程を、プロセスマージンを十分に確保しつつ、大幅に簡略化し、レーザ製造コストの削減を図ること。【構成】 半導体レーザの層構成を有する半導体レーザ基板28上にリッジ11を形成し、ついでリッジ近傍に絶縁膜14を形成し、ついでリッジ上部の絶縁膜14をエッチングにより除去する製造方法において、絶縁膜として、光CVD法によるSi3 N4 を用いる。
請求項（抜粋）：
リッジ構造を有する半導体レーザの製造において、半導体レーザとなる層構造を有する半導体レーザ基板にリッジを形成する工程と、次いで前記基板に絶縁膜を光化学気相堆積法によって形成する工程と、その後前記絶縁膜のうち前記リッジ上に堆積された部分のみを除去する工程とを具備することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
引用特許：
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