特許

J-GLOBAL ID：200903054185760764

半導体装置のコンタクト形成方法

発明者： 菅野 道博
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-003228
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208619
出願日： 1999年01月08日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 補償イオン注入後の不純物のシリコン基板内での拡散を押さえ、トランジスタ特性や素子分離特性の変動を防止することができ、安定で特性の変動やばらつきの少ない半導体装置を実現することができる半導体装置のコンタクト形成方法の提供を課題とする。【解決手段】 シリコン基板にコンタクト穴3を開口する開口工程と、この開口工程で形成したコンタクト穴3およびシリコン基板表面にポリシリコンを堆積させポリシリコン層5を形成するポリシリコン堆積工程と、このポリシリコン堆積工程で堆積したポリシリコン層5内にコンタクト補償イオンの注入を行う補償イオン注入工程と、熱処理によって活性化を行ってポリシリコン層5中からシリコン基板へ不純物を拡散させる不純物拡散工程とをこの順で行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体装置のトランジスタのソース/ドレイン領域へのコンタクト形成方法において、シリコン基板にコンタクト穴を開口する開口工程と、この開口工程で形成したコンタクト穴および前記シリコン基板表面にポリシリコンを堆積させポリシリコン層を形成するポリシリコン堆積工程と、このポリシリコン堆積工程で堆積したポリシリコン層内に補償イオンの注入を行う補償イオン注入工程と、熱処理によって活性化を行って前記ポリシリコン層中から前記シリコン基板へ不純物を拡散させる不純物拡散工程とをこの順で行うことを特徴とする半導体装置のコンタクト形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 Z ,  H01L 21/28 301 C ,  H01L 21/28 301 D ,  H01L 29/78 301 Y

Fターム (35件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC01 ,  4M104DD55 ,  4M104DD84 ,  4M104DD92 ,  4M104FF16 ,  4M104FF22 ,  4M104GG08 ,  4M104GG14 ,  4M104HH08 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033LL04 ,  5F033NN03 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ80 ,  5F040DC01 ,  5F040EH01 ,  5F040EH02 ,  5F040EH03 ,  5F040EH07 ,  5F040FC00 ,  5F040FC11 ,  5F040FC19