特許

J-GLOBAL ID：200903054186315225

不揮発性メモリ素子の単位セル及びこれを備えた不揮発性メモリ素子

発明者： シン チャン ヒ ,  チョ ギ ソク ,  チョン ソン ト
出願人/特許権者： マグナチップセミコンダクター有限会社
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-031366
公開番号（公開出願番号）：特開2009-193660
出願日： 2009年02月13日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：

【課題】読み出し動作時、データのセンスマージンを改善させて動作信頼性を向上させることができる不揮発性メモリ素子の単位セル及びこれを備えた不揮発性メモリ素子を提供すること。【解決手段】出力端と接地電圧端との間に接続されたアンチヒューズと、前記出力端と接続されて、当該出力端に書き込み電圧を伝達する第1のスイッチング手段と、前記出力端と接続されて、当該出力端に読み出し電圧を伝達する第2のスイッチング手段とを備える。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

出力端と接地電圧端との間に接続されたアンチヒューズと、 前記出力端と接続されて、当該出力端に書き込み電圧を伝達する第1のスイッチング手段と、 前記出力端と接続されて、当該出力端に読み出し電圧を伝達する第2のスイッチング手段と、 を備えることを特徴とする不揮発性メモリ素子の単位セル。

IPC (2件)：

G11C 17/14 ,  H01L 27/10

FI (2件)：

G11C17/06 B ,  H01L27/10 431

Fターム (9件)：

5B125BA14 ,  5B125BA16 ,  5B125CA21 ,  5B125DA09 ,  5B125DB12 ,  5B125ED10 ,  5B125FA06 ,  5F083CR14 ,  5F083GA11