特許

J-GLOBAL ID：200903054188909521

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 上田 徹
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-279945
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121439
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタにおいて十分に高いオン/オフ電流比が得られるようにする。【構成】 半導体層2の上方に複数のゲート電極部4a等を形成し、これをマスクとして使用して半導体層2に不純物を低い濃度で注入する。これにより、半導体層2の非マスキング部分には低不純物濃度領域11a等が形成され、隣合う低不純物濃度領域の間のマスキング部分はチャネル層9a等として残る。これにより、半導体層2は不純物が注入された領域とチャネル層との接合部の数が増えると共に、チャネル層と接合する領域の不純物濃度が低くなる。その後、レジスト5を所望の範囲に形成し、これをマスクとして使用して不純物を高い濃度で注入し、両端にある低不純物濃度領域11a等のチャネル層9a等とは反対側に高不純物濃度領域10a等を形成する。これにより、高不純物濃度領域10a等とチャネル層との間には不純物濃度の低い低不純物濃度領域11a等が介装される構造となる。

請求項（抜粋）：

表面が絶縁性の基板上に半導体層を形成する工程と、該半導体層を覆った状態で該基板上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜の上に複数のゲート電極を形成する工程と、該ゲート電極をマスクとして該半導体層に不純物イオンを低い濃度で注入して、半導体層の非マスキング部分に低不純物濃度領域を形成する工程と、該ゲート電極が形成された該絶縁膜の上に、両端にある該低不純物濃度領域の一方における他方側とは反対側の部分の上方および、他方の全部又は一方側とは反対側の部分の上方を残し、それ以外の半導体層部分の上方を覆った状態で、レジストをパターン形成する工程と、該レジストをマスクとして該半導体層中に不純物イオンを高い濃度で注入し、半導体層のマスキング部分に高不純物濃度領域を形成する工程と、を含む薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-218070
  
• 特開昭62-237762
  
• 特開昭58-105574