特許
J-GLOBAL ID：200903054191612963
半導体光集積素子の作製方法及び半導体光集積素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-107403
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307867
出願日： 1998年04月17日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 従来の半導体光集積素子のバットジョイント(突き合わせ結合)構造では、少なくとも2回以上の結晶成長工程が必要であった。また、段差基板上に形成した素子構造の場合には、1回の結晶成長により半導体光集積素子を形成できるが、リッジ構造或いは埋め込み構造を作製することが困難であった。【解決手段】 本発明の半導体光集積素子の作製方法は、発光素子構成部と、前記発光素子構成部の出射光を導波させる光導波路構成部とからなる半導体光集積素子の製造工程で、半導体基板上に前記発光素子構成部となる[011]あるいは[01-1]方向にストライプ状のメサ部を形成する工程と、前記半導体基板上に少なくとも発光層と、第2クラッド層と、第3クラッド層と、光導波路層と、第4クラッド層とを順次積層する工程を有する。
請求項（抜粋）：
発光素子構成部と、前記発光素子構成部の出射光を導波させる光導波路構成部とからなる半導体光集積素子の作製方法において、半導体基板上に前記発光素子構成部となる[011]あるいは[01-1]方向のストライプ状のメサ部を形成する工程と、前記半導体基板上に少なくとも発光層と、第2クラッド層と、第3クラッド層と、光導波路層と、第4クラッド層とを順次積層する工程と、を有することを特徴とする半導体光集積素子の作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
