特許

J-GLOBAL ID：200903054193563714

半導体装置

発明者： 田村 浩昭
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-249205
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059286
出願日： 2001年08月20日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 メモリに不良箇所が存在する場合に、ハード的に不良箇所を救済するのではなく、また、半導体装置を構成する各部品の不良に対して装置全体を廃棄してしまうことのない半導体装置を得ること。【解決手段】 電気的に書き換え可能な不揮発性メモリ6を有する第1のチップ12と、救済用の冗長回路を内蔵するメモリ3a、3bを有する第2のチップ11と、を基板21上に備える半導体装置であって、前記第1のチップ12の不揮発性メモリ6に、前記メモリ3a、3bの不良部分を前記冗長回路へと切り替える情報を格納し、その情報に基づいて前記メモリ3a、3bの不良部分を前記冗長回路へ切り替える。

請求項（抜粋）：

電気的に書き換え可能な不揮発性メモリを有する第1のチップと、救済用の冗長回路を内蔵するメモリを有する第2のチップと、を基板上に備える半導体装置であって、前記第1のチップの不揮発性メモリに、前記メモリの不良部分を前記冗長回路へと切り替える情報を格納し、その情報に基づいて前記メモリの不良部分を前記冗長回路へ切り替えることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

G11C 29/00 603 ,  G11C 29/00 ,  G11C 29/00 671 ,  G01R 31/28 ,  G06F 12/16 310

FI (6件)：

G11C 29/00 603 J ,  G11C 29/00 603 Z ,  G11C 29/00 671 B ,  G06F 12/16 310 P ,  G01R 31/28 V ,  G01R 31/28 B

Fターム (19件)：

2G132AA09 ,  2G132AA14 ,  2G132AE23 ,  2G132AK07 ,  2G132AK29 ,  2G132AL31 ,  5B018GA06 ,  5B018HA21 ,  5B018HA35 ,  5B018JA21 ,  5B018JA22 ,  5B018KA14 ,  5B018KA15 ,  5B018NA06 ,  5B018QA13 ,  5L106CC09 ,  5L106DD24 ,  5L106DD25 ,  5L106GG06