有機スイッチング素子およびその製造方法、並びに表示装置用スイッチング素子アレイ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高石橘馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-308032
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079352
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】スイッチング特性が良好な、低温で製造可能な有機半導体を活性層に用いるスイッチング素子およびそれを用いたスイッチング素子アレイを提供することである。【解決手段】本発明のスイッチング素子は、ソース電極3とドレイン電極2からなる電極対と、ソース電極3とドレイン電極2の間に前記電極対と接触していないゲート電極4を備えたスイッチング素子であって、ゲート電極4の一方の面はソース電極3に、他方の面はドレイン電極2に対向し、ゲート電極4はソース電極3側とドレイン電極2側のそれぞれの面に開口部がひとつずつ形成された複数の貫通孔を有し、ドレイン電極2はゲート電極4に形成された貫通孔の位置と実質的に同じ位置に、少なくともゲート電極4側に開口部が形成された孔を有し、かつゲート電極4の前記貫通孔、ドレイン電極2の前記孔および前記電極対間の空隙に電子輸送性またはホール輸送性の有機電荷輸送性物質5, 5’が少なくとも部分的に充填されていることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ソース電極とドレイン電極からなる電極対と、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に前記電極対と接触していないゲート電極を備えたスイッチング素子であって、前記ゲート電極の一方の面は前記ソース電極に、他方の面は前記ドレイン電極に対向し、前記ゲート電極は前記ソース電極側と前記ドレイン電極側のそれぞれの面に開口部がひとつずつ形成された複数の貫通孔を有し、前記ドレイン電極は前記ゲート電極に形成された前記貫通孔の位置と実質的に同じ位置に、少なくとも前記ゲート電極側に開口部が形成された孔を有し、かつ前記ゲート電極の前記貫通孔、前記ドレイン電極の前記孔および前記電極対間の空隙に電子輸送性またはホール輸送性の有機電荷輸送性物質が少なくとも部分的に充填されていることを特徴とするスイッチング素子。

IPC (4件)：

H01L29/80 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/00

FI (6件)：

H01L29/80 V , H01L29/28 , H01L29/78 618B , H01L29/78 626A , H01L29/78 618A , H01L29/78 627C

Fターム (59件)：

2H092JA24 , 2H092JA28 , 2H092KA09 , 2H092NA21 , 2H092NA25 , 2H092PA06 , 5F102FA00 , 5F102FB01 , 5F102GB04 , 5F102GC08 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GL00 , 5F102GS07 , 5F102HC00 , 5F102HC11 , 5F102HC30 , 5F110AA01 , 5F110AA07 , 5F110BB01 , 5F110CC09 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE24 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF22 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK41 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110QQ01

引用特許：

出願人引用 (1件)

スイッチング素子の製造方法、スイッチング素子及びスイッチング素子アレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-374990 出願人：株式会社東芝

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