特許
J-GLOBAL ID：200903054200016619
オフセット型多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-327366
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211920
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 オフセット領域の幅を調節しうるオフセット型多結晶薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【構成】 基板100の上部に多結晶シリコンからなる活性層1を形成し、活性層1の上部を酸化して形成されたゲート絶縁層3の上に多結晶シリコンゲート5を形成する。多結晶シリコンゲート5の周辺にシリサイド形成用金属からなる金属層を形成し、この金属層をマスクとして高濃度のn+ イオンを注入する。次いで、熱処理により多結晶シリコンゲート5と金属層とからシリサイド10を形成し、残りの金属層を取り除いたのちに低濃度のn- イオンを注入する。これにより、ソース領域12およびドレイン領域15からチャネル側に前記残りの金属層の厚さに対応した幅のオフセット領域13、14が形成される。これにより、オフセット領域13、14の幅を1μm以下で制御することができる。
請求項（抜粋）：
基板の上面に多結晶シリコン層を成長させ食刻して活性層を形成する段階と、前記活性層の上面にゲート絶縁層を形成する段階と、前記ゲート絶縁層の上面に多結晶シリコン層を形成し食刻して多結晶シリコンゲートを形成する段階と、前記多結晶シリコンゲートおよびゲート絶縁層の上面にシリサイド形成用金属を蒸着させ食刻して前記多結晶シリコンゲートの周囲にのみ前記シリサイド形成用金属からなる金属層を残し前記シリサイド形成用金属の残りの部分を取り除く金属層形成段階と、前記金属層形成段階で形成された前記金属層をマスクとして高濃度のイオンを注入して前記活性層の両側にソース領域およびドレイン領域を形成する第1イオン注入段階と、前記第1イオン注入段階で形成された前記ソース領域および前記ドレイン領域からチャネル側に形成されるオフセット領域の幅を調節するシリサイドを前記多結晶シリコンゲートと前記金属層との化学反応により生成させる熱処理段階と、前記熱処理段階で前記シリサイドを生成させたのちに残った前記金属層を取り除く食刻段階と、前記食刻段階で取り除かれた前記金属層の厚さに対応したオフセット領域を形成するように低濃度のイオンを注入する第2イオン注入段階とを含むことを特徴とするオフセット型多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/28
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
H01L 29/78 311 G
, H01L 21/88 Q
