成膜方法および装置並びにデバイスの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：村上友一 , 大久保操
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-184287
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031558
出願日： 2002年06月25日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】大きな撥液性を有するとともに、易分解性の膜を成膜できるようにする。【解決手段】成膜装置50は、放電部52を構成している放電チャンバ54の内部が放電用電極58によって、放電領域64と成膜処理部70とに区画してある。放電用電極58は、2枚の多孔板58a、58bによって構成してある。各多孔板58a、58bは、離間させて近接配置してある。また、多孔板58a、58bは、透孔68a、68bの位置が相互にずらされていて、成膜処理部70に配置したワーク16を放電領域64から遮っている。多孔板58a、58bは、放電チャンバ54を介して接地してあり、荷電粒子をトラップして電気的に中性な気体分子を通過させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

気体状の有機物を放電により活性化し、活性化した前記有機物を放電領域外に配置したワークの表面に供給して成膜させることを特徴とする成膜方法。

IPC (6件)：

H01L21/31 , C23C14/12 , C23C16/01 , C23C16/455 , H05B33/10 , H05B33/14

FI (6件)：

H01L21/31 C , C23C14/12 , C23C16/01 , C23C16/455 , H05B33/10 , H05B33/14 A

Fターム (25件)：

3K007AB18 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 4K029BA62 , 4K029BC07 , 4K029BD00 , 4K029CA11 , 4K029CA12 , 4K029DB02 , 4K029DB06 , 4K030AA01 , 4K030AA04 , 4K030BA35 , 4K030BA36 , 4K030FA01 , 4K030LA01 , 4K030LA11 , 5F045AA08 , 5F045AB39 , 5F045AC02 , 5F045AC16 , 5F045AF08 , 5F045DP04 , 5F045DQ10 , 5F045EH18

引用特許：

審査官引用 (6件)

ラジカルの制御方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-241487 出願人：名古屋大学長
半導体装置の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-060787 出願人：日本電気株式会社
輸送重合および化学気相成長法用新蒸着システムおよびプロセス
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-518129 出願人：クエスターテクノロジーインコーポレイテッド

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