特許

J-GLOBAL ID：200903054202739286

多元金属又は金属化合物層の成長のための方法及び組成物

発明者： ヨシヒデ センザキ ,  デビット アレン ロバーツ ,  ジョン アントニー トーマス ノーマン
出願人/特許権者： エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-212008
公開番号（公開出願番号）：特開2001-081560
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2001年03月27日
要約：

【要約】【課題】 基材上に多元金属又は金属化合物層を成長させるための組成物と方法の提供。【解決手段】 少なくとも2種の金属-配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物を含み、当該混合物が周囲条件において液体であり、且つ当該配位子が、アルキル、アルコキシド、ハロゲン、水素、アミド、イミド、アジ化物イオン、硝酸根、シクロペンタジエニル、カルボニル、並びにそれらのフッ素、酸素及び窒素置換類似物からなる群より選ばれる組成物とする。これを用いて層を得るためには、当該組成物を基材が位置する成長帯域へ送出し、基材を成長条件下で当該組成物と接触させて基材上に多元金属又は金属化合物層を成長させ、組成物と基材との接触を、化学気相成長、スプレー熱分解、ゾル-ゲルプロセス、スピンコーティング及び原子層エピタキシーのうちから選択する。

請求項（抜粋）：

下記のa)〜d)を含む、電子材料の基材上に多元金属又は金属化合物層を成長させるための方法。a)周囲条件において液体を構成する2種以上の金属-配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物であって、当該配位子が同一であり、且つアルキル、アルコキシド、ハロゲン、水素、アミド、イミド、アジ化物イオン、硝酸根、シクロペンタジエニル、カルボニル、並びにそれらのフッ素、酸素及び窒素置換類似物からなる群より選ばれる、無溶媒混合物を提供することb)当該無溶媒混合物を上記基材が位置している成長帯域へ送出することc)当該基材を成長条件下で当該無溶媒混合物と接触させ、この成長条件下での接触を、化学気相成長、スプレー熱分解、ゾル-ゲルプロセス、スピンコーティング及び原子層エピタキシーからなる群より選択することd)当該無溶媒混合物から当該基材上に多元金属又は金属化合物層を成長させること

IPC (10件)：

C23C 16/06 ,  C01B 33/06 ,  C01G 25/00 ,  C01G 35/00 ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/285 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 39/24 ZAA

FI (10件)：

C23C 16/06 ,  C01B 33/06 ,  C01G 25/00 ,  C01G 35/00 C ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 Z ,  H01L 39/24 ZAA B ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 651