特許
J-GLOBAL ID：200903054205703738
半導体モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-048457
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250655
出願日： 1995年03月08日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】 インバータ部の基板の表面にシリコーン樹脂の接着しない材料で枠を作り、常温硬化型シリコーン樹脂を充填し絶縁と熱ストレスを補強するパワーモジュールを供給することを目的とする。【構成】 パワー素子とその周辺回路を金属基板やセラミック基板で実装し、複合部品にまとめたモジュールを含む図1のインバータ部4を常温硬化型シリコーン樹脂を用いて絶縁を必要とする部分や熱ストレスのかかる部分を補強する。保護をかける部分にシリコーン樹脂の接着しない材料で枠を作り、その内側に絶縁の必要な狭い部分や小さな隙間にまでシリコーン樹脂を流し込む。常温硬化性のため熱を加えず放置するだけで硬化し、ケース兼保護の役目を果たす。
請求項（抜粋）：
複数のパワースイッチング素子、またはこの素子とこの周辺回路を実装する基板の表面に、シリコーン樹脂が硬化しても接着しない材料で枠を形成し、枠内に常温硬化型シリコーン樹脂を充填硬化させ、形状保持しながら絶縁と熱ストレスを補強する半導体モジュール。
IPC (6件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, H02M 3/135
, H02M 7/48
H01L 25/04 C
, H02M 3/135
, H02M 7/48 Z
, H01L 23/30 B
