特許

J-GLOBAL ID：200903054213148727

半導体装置およびその製造方法

発明者： 坂井 弘之 ,  竹中 信之
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-033517
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236616
出願日： 1995年02月22日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 アルミニウム2層配線を用いずに非常に簡便な方法で平坦度の優れた2層配線を形成する。【構成】 P型半導体基板1にポリサイドゲート電極4を有するMOS型トランジスタ(ゲート酸化膜3,N型半導体領域6も有する)上の酸化膜7の開口部7aおよび酸化膜7上に1層目の配線として高融点金属であるタングステンを用いて高融点金属配線8を形成する。高融点金属配線8を形成後はBPSG膜を形成し、高温の熱処理により平坦度の優れた酸化膜9を形成する。酸化膜9の開口部9aおよび酸化膜9の上に2層目の配線としてアルミニウムからなる低融点の金属配線10を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体素子が形成された半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された高融点金属配線と、前記高融点金属配線より融点が低く前記高融点金属配線を形成した前記半導体基板の上に熱流動平坦化された状態に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成された金属配線とを備えた半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/90 R ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 A ,  H01L 29/78 301 Y