特許

J-GLOBAL ID：200903054220191999

半導体装置の製造方法

発明者： 渡嘉敷 健
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-316613
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151763
出願日： 1992年10月30日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 表面が凹凸形状を有する多結晶Siで構成された断面T型蓄積電極を形成する。【構成】 Si基板5上にシリコン酸化膜層6,シリコン窒化膜層7,多結晶Si層を順に成長させ、光リソグラフィー技術によりマスクを形成し、ハロゲンを含んだガスでドライエッチングする。さらにシリコン酸化膜層,多結晶Si層を成長させ、上記と同様にリソグラフィーによりマスク形成、そしてドライエッチングする。その後、フッ酸によりシリコン酸化膜を除去すれば、断面T型蓄積電極のコア電極が形成される。そしてコア電極の全面に凹凸形状を有する多結晶Si1を成長させ、ハロゲンを含んだガスで異方的にエッチバックする。その結果、表面が凹凸形状を有する多結晶Si1で構成された断面T型蓄積電極を形成することができる。

請求項（抜粋）：

電極形成工程と、Si成長工程と、エッチング工程とを有する半導体装置の製造方法であって、電極形成工程は、蓄積電極を構成するコア電極を形成するものであり、該コア電極は、基板から上方に立上った立上り部と、立上り部の頂部から両側方向に張り出した水平部とを組合せた断面T型の形状のものであり、Si成長工程は、断面T型のコア電極全面に、表面に凹凸を有する多結晶Siを成長させるものであり、エッチング工程は、多結晶Siをハロゲンを含んだガスで異方的にエッチングし、コア電極の水平部上面に凹凸形状を転写するものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/302 ,  H01L 27/04