特許
J-GLOBAL ID：200903054231564932
半導体加速度センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 保男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-321634
公開番号（公開出願番号）：特開平6-169094
出願日： 1992年12月01日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、ピエゾ抵抗のブリッジ回路出力のヒステリシス発生を抑え、梁上へのピエゾ抵抗の配置を容易にし、さらに梁形成時のエッチング液による配線の侵食を解消することを目的とする。【構成】 枠部6と重り部5とを接続支持する少なくとも一つのN型の梁7と、梁7の表面部に形成されたP型の拡散抵抗r1,r2と、梁部7付近に形成され表面部に高濃度のN型拡散層13を有するP型拡散層12と、拡散抵抗r1,r2とN型拡散層13とを接続する金属配線14とを有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板の略中央部に形成された重り部と、該重り部を囲むように形成された枠部と、該枠部と前記重り部とを接続支持するように当該重り部より延出形成された少なくとも一つのN型の梁と、該梁の表面部に形成されたP型の拡散抵抗と、前記梁部付近に形成され表面部に高濃度のN型拡散層を有するP型拡散層と、前記半導体基板上に形成され前記拡散抵抗と前記N型拡散層とを、前記梁部を除く部分で接続する金属配線とを有することを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2件)：
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