特許

J-GLOBAL ID：200903054240482710

半導体装置の製造方法

発明者： 田中 稔彦 ,  服部 孝司 ,  横山 義之 ,  木村 香織
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-234359
公開番号（公開出願番号）：特開2003-043704
出願日： 2001年08月02日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】 ネガレジストを用いたリソグラフィでは、ウエハ外周部にレジストが一部残り、残ったレジストが機械的接触を受け異物となって半導体装置の歩留まりを低下させる、あるいは外周部ギリギリまで使ってチップを取得することができず、ウエハあたりのチップ取得率が小さい。【解決手段】 ウエハ上にネガレジスト膜を形成後、ウエハ外周部のレジスト上にレジストの感光あるいは感光反応を阻害する物質を被着する。

請求項（抜粋）：

ウエハ上に形成されたネガ型のホトレジスト膜に所望のパターンを露光する工程と、現像を行う工程とを有する半導体装置の製造方法において、上記ウエハ外周部の上記ホトレジスト膜上にレジストの感光あるいは感光反応を阻害する物質を被着する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

G03F 7/38 501 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/38 501 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 565

Fターム (20件)：

2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA20 ,  2H096DA10 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096FA01 ,  2H096FA10 ,  2H096GA08 ,  2H096JA02 ,  5F046JA27