特許

J-GLOBAL ID：200903054240541767

半導体記憶装置

発明者： 五十嵐 泰史 ,  林 孝尚
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-138448
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335587
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、フローティングゲートを有する主としてEEPROMのセル構造に関するもので、書き込み、消去のときトンネル酸化膜に強いストレスがかかることによる該トンネル酸化膜の絶縁性の劣化を低減する構造を提供することを目的とする。【構成】 前記目的のため本発明は、制御ゲート8を仕事関数がポリシリコンの仕事関数(4.1eV)以下の材料で形成し、チャネル濃度を高めてドレイン10a端での電界勾配を急峻にし、ホットエレクトロンの発生効率をよくしたものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を介してフローティングゲートと制御ゲートおよびソース・ドレインからなるMOSFETが形成されている半導体記憶装置において、前記制御ゲートを仕事関数が4.1eV以下の値の材料としたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭62-154787
  
• 特開昭62-287668
  
• 特開平3-050772
  
• 特開平4-005865
  
• 特開昭61-137317