特許
J-GLOBAL ID：200903054241131856
半導体圧力センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
村上 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-179355
公開番号（公開出願番号）：特開平5-346361
出願日： 1992年06月12日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：
【要約】【目的】 モールド封止形圧力センサの出力特性精度の向上を図る。【構成】 モールドパッケージにおいて、圧力検出部分に加わる圧力以外の応力を緩和するように応力緩和溝9を圧力検出部分から離れた位置に配置した。【効果】 モールド封止後の残留応力や熱応力が応力緩和溝に集中し、圧力検出部分の応力が緩和され、圧力に対する出力特性精度が向上する。
請求項（抜粋）：
裏面にダイヤフラム領域を形成した圧力センサチップとガラス台座とを真空室を介して接合した圧力センサ素子を、圧力検知部分である上記ダイヤフラム領域のチップ表面側を残してモールド封止してなる半導体圧力センサにおいて、上記モールド樹脂の外面の上記圧力検知部分から離れた位置に応力緩和溝を備えた半導体圧力センサ。
IPC (2件)：
G01L 9/04 101
, H01L 29/84
