特許

J-GLOBAL ID：200903054243725958

半導体装置

発明者： 石田 芳弘 ,  市川 新吾
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-217458
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045517
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】 積層半導体ユニットの半田結合時の位置決め及びユニット間の間隔規制を容易にする。【構成】 上層の半導体ユニット10の回路基板1の下面に形成した凹部7と、下層の半導体ユニット10のモールド樹脂5のモールド部の下面に形成した凸部9とにより結合部11を構成し、該結合部11で半田結合時の位置決めを行い、更に下層の半導体ユニット10の樹脂モールド部の鍔部8により上層の半導体ユニット10間の間隔を規制する。【効果】 半田結合時の位置決め及び間隔の規制に特別な治具は不要で、積層する半導体ユニットの組み合せ、増設はユーザが自由に選択可能で、半導体装置の製造コストが安価である。

請求項（抜粋）：

回路基板の上面には樹脂モールドしたICチップを有し、下面には半田バンプを有する半導体ユニットを少なくとも2個積層して半田結合してなる半導体装置において、前記上層の半導体ユニットの回路基板の下面に形成した凹部と、下層の半導体ユニットの樹脂モールド部の上面に形成した凸部とにより結合部を構成し、該結合部によって半田結合時の位置決めを行うことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/28

FI (2件)：

H01L 25/08 Z ,  H01L 23/12 L