プラズマCVD装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-253661
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091236
出願日： 1998年09月08日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】粉発生無しの条件でa-Si成膜速度を従来の約2倍に向上できることを課題とする。【解決手段】反応容器31と、この反応容器21に反応ガスを導入し、排出する手段と、前記反応容器21内から収容された放電用のはしご型電極132 すなわちラダーアンテナ型電極あるいははしご状平面形コイル電極と、このはしご型電極132 に30MHzないし200MHzのグロー放電発生用電力を供給する高周波電源36とを有し、前記反応容器31内に設置された基板33表面に非晶質薄膜あるいは微結晶薄膜あるいは薄膜多結晶を形成するプラズマCVD装置において、前記はしご型電極132 の断面形状を矩形にしたことを特徴とするプラズマCVD装置。

請求項（抜粋）：

反応容器と、この反応容器に反応ガスを導入し、排出する手段と、前記反応容器内から収容された放電用のはしご型電極すなわちラダーアンテナ型電極あるいははしご状平面形コイル電極と、このはしご型電極に30MHzないし200MHzのグロー放電発生用電力を供給する電源とを有し、前記反応容器内に設置された基板表面に非晶質薄膜あるいは微結晶薄膜あるいは薄膜多結晶を形成するプラズマCVD装置において、前記はしご型電極の断面形状を矩形にしたことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 31/04 V

Fターム (24件)：

5F045AA08 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AF07 , 5F045BB02 , 5F045BB09 , 5F045CA13 , 5F045EF05 , 5F045EH02 , 5F045EH04 , 5F045EH06 , 5F045EH11 , 5F045EH19 , 5F051AA03 , 5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051BA11 , 5F051CA16 , 5F051CA23 , 5F051CA24

引用特許：

審査官引用 (1件)

プラズマCVD方法及びプラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-347797 出願人：キヤノン株式会社

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