特許

J-GLOBAL ID：200903054253251660

半導体基板及び半導体装置

発明者： 加藤 正高 ,  堀内 勝忠
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-295474
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136259
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】電離性放射線環境下において用いられるSOI型MOSトランジスタにおいて、放射線照射によるバックゲートチャネル形成に伴うリーク電流発生による誤動作を防止する。【構成】SOI基板において、埋込酸化膜(2)の少なくとも一部分に電子・正孔に対する再結合を促進させる領域(4)を設けるか、あるいは素子を形成するp形半導体基板(1)の不純物濃度よりもベース基板の表面領域の不純物濃度を高く設定する。

請求項（抜粋）：

第1の半導体基板上に形成された第1の絶縁膜及び該第1の絶縁膜上に形成された第2の半導体基板からなる基板構造において、第1の絶縁膜の少なくとも一部分に電子・正孔に対する再結合を促進させる領域を有することを特徴とする半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 311 X ,  H01L 29/78 311 R