特許
J-GLOBAL ID：200903054257650349
イオン注入法による基板製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有近 紳志郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-189287
公開番号（公開出願番号）：特開平6-036734
出願日： 1992年07月16日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 生成される価数の異なるイオンを効率よく利用する。【構成】 多価イオン生成部1のプラズマチャンバ内にて同質量数で価数が異なる同種異価イオン群を生成し、その同種異価イオン群をプラズマチャンバ内から引出したのち質量分析部41で価数が同じ同種同価イオンごとのイオンビームに分離し、それら同種同価イオンのイオンビームをそれぞれポートP1,P2,P3,P4,P5に導いてサブストレートs1,s2,s3,s4,s5に同時に照射する。【効果】 生成される価数の異なるイオンを効率よく利用でき、良好なコストパフォーマンスを得ることが出来る。価数の大きな多価イオンが生成されるイオン源を用いるときに特に有用である。
請求項（抜粋）：
電子サイクロトロン共振を利用し、供給される試料ガスなどを元にプラズマチャンバ内でイオンを生成し、それらイオンを基板に注入するイオン注入法による基板製造方法において、プラズマチャンバ内にて同質量数で価数が異なる同種異価イオン群を生成し、その同種異価イオン群をプラズマチャンバ内から引出したのち価数が同じ同種同価イオン群ごとに分離し、分離したそれら同種同価イオン群を用いて複数の基板にイオン注入を行うことを特徴とするイオン注入法による基板製造方法。
IPC (3件)：
H01J 37/317
, C23C 14/48
, H01L 21/265
