特許

J-GLOBAL ID：200903054258997873

TFTポリシリコン薄膜作成方法

発明者： 池田 裕司郎 ,  黒田 和也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-068918
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217895
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 多大なコストを要せず、アモルファスSiデポ後に、アモルファスSi膜に混入するO原子の不純物を少なくする。【構成】 LP-CVD法によりウェハー上にアモルファスSi膜を堆積した後、in-situプロセスで引き続いて、窒素雰囲気下での固相成長を行うことによりTFTポリシリコン薄膜を作成する。

請求項（抜粋）：

LP-CVD法によりウエハー上にアモルファスシリコン膜を堆積した後、in-situプロセスで引き続いて、窒素雰囲気下での固相成長を行うことによりTFTポリシリコン薄膜を作成することを特徴とするTFTポリシリコン薄膜作成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/11 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 27/10 381 ,  H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-321219