特許
J-GLOBAL ID:200903054269059565

水素吸蔵合金電極およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 東島 隆治 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-128622
公開番号(公開出願番号):特開平9-312157
出願日: 1996年05月23日
公開日(公表日): 1997年12月02日
要約:
【要約】【課題】 高容量で、高率放電特性およびサイクル特性に優れた水素吸蔵合金電極を提供することを目的とする。【解決手段】 水素吸蔵合金粒子を水素ガスで還元処理するかまたはフッ化水素酸水溶液でエッチングして合金表面の酸化膜の厚さを0.15μm以下とし、この表面にボールミル等の機械的な応力やめっきによってニッケル微粉末や多孔質ニッケル膜を付着させる。こうして電極活性に寄与するNiを付着した合金粒子で電極を構成する。さらに、このNi付着合金を熱処理すること特性の改善が図れる。
請求項(抜粋):
表面に厚さ0.15μm以下の酸化膜を介してニッケル微粉末あるいは多孔質ニッケル膜が付着している水素吸蔵合金粒子からなることを特徴とする水素吸蔵合金電極。
IPC (3件):
H01M 4/24 ,  H01M 4/26 ,  H01M 4/38
FI (3件):
H01M 4/24 J ,  H01M 4/26 J ,  H01M 4/38 A

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