特許
J-GLOBAL ID：200903054269437306
集積半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-092334
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283707
出願日： 1996年04月15日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 過電圧および各種サージ入力により,予め設定した値を超えた入力電圧に対して,これらを吸収することによって,半導体集積回路を保護するバリスタ特性を併せもつキャパシタを構築した集積半導体装置を提供する。【解決手段】 集積半導体装置は,シリコン基板1上に,第一の電極となる導電体膜5,窒化シリコン(Si3 N4 )膜4からなる誘電体層,および第二の電極となる導電体膜6を順に重ねて形成して構築したキャパシタが,コンデンサとしての機能のほかに見いだされたバリスタ特性を利用している。
請求項（抜粋）：
基板上に誘電体膜および導電体膜を積層して形成したキャパシタを有する集積半導体装置において,前記キャパシタは,降伏電圧を有する非線形抵抗特性を少なくとも示すことを特徴とする集積半導体装置。
IPC (2件)：
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