特許

J-GLOBAL ID：200903054271497677

半導体装置

発明者： 中川 明夫 ,  川口 雄介
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-216987
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031821
出願日： 2001年07月17日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】オン抵抗を増加させることなく高耐圧が得られ、動作開始時にも安定した動作が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】n+ 型半導体基板11上に形成された、n+ 型半導体基板11より電気抵抗が高いn- 型エピタキシャル層12と、n- 型エピタキシャル層12上に形成されたp+ 型アノード層13と、n- 型エピタキシャル層12内に、このn- 型エピタキシャル層12の表面からn+ 型半導体基板11まで到達し、n-型エピタキシャル層12に接触するように形成された高抵抗体(SIPOS層)14とを有する。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基体上に形成された、前記第1導電型半導体基体より電気抵抗が高い第1導電型半導体領域と、前記第1導電型半導体領域上に形成された第2導電型半導体領域と、前記第1導電型半導体領域内に、この第1導電型半導体領域の表面から前記第1導電型半導体基体方向に延在し、または到達し、前記第1導電型半導体領域に接触するように形成された高抵抗領域と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653

FI (3件)：

H01L 29/78 652 G ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/91 D