特許

J-GLOBAL ID：200903054279039805

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 田中 義幸 ,  田中 智晴 ,  中村 寛 ,  大平 秀子 ,  岡本 豊
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-157831
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005085
出願日： 1992年06月17日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、ページの切り替り点でのランダムリード動作を不要として読み出しの高速化を図ることを目的とする。【構成】 メモリ手段1からのデータ読み出し時に所定単位のデータをランダムリード動作によりラッチしてデータ出力線に読み出すとともに複数の所定単位のデータの連続読み出しに際し一方がラッチされた先の所定単位のデータをデータ出力線に読み出している間に他方が次の所定単位のデータをランダムリード動作によりラッチする複数のラッチ手段2A,2Bを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

所定単位に分割されたデータ書き込み領域を備えたメモリ手段と、該メモリ手段からのデータ読み出し時に所定単位のデータをランダムリード動作によりラッチしてデータ出力線に読み出すとともに複数の所定単位のデータの連続読み出しに際し一方がラッチされた先の所定単位のデータをデータ出力線に読み出している間に他方が次の所定単位のデータをランダムリード動作によりラッチする複数のラッチ手段とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。