特許

J-GLOBAL ID：200903054281134947

漏れ磁束トランス

発明者： 小寺 博治
出願人/特許権者： 株式会社小寺電子製作所
代理人 (1件)： 前田 勘次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-112558
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288159
出願日： 1995年04月12日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】 簡易な構成で、二次側鉄心の磁束の飽和量を制限し、磁束を比較的漏れ易くし、小形化を促進できるとともに、二次側鉄心の磁束の飽和量の均一化を図り、部分的に高熱になるのを防止して、鉄心の効率がよい漏れ磁束トランスを提供する。【構成】 E型の一次側鉄心11に一次コイル13が巻設され、同じくE型の二次側鉄心12に二次コイル34が巻設されており、一次側鉄心11の断面積に比べ、二次側鉄心12の断面積が狭くなっているとともに、二次側鉄心12に巻設される二次コイル34の巻量を一次コイル13から遠ざかるに従って次第に増大させ、トランスの結合が深い部分の二次コイル34の巻数は少なく、トランスの結合が浅い部分の二次コイル34の巻数は多くしたものである。

請求項（抜粋）：

一次側鉄心より二次側鉄心の断面積を狭くしたことを特徴とする漏れ磁束トランス。

IPC (3件)：

H01F 38/08 ,  H01F 19/00 ,  H01F 27/24

FI (6件)：

H01F 31/06 B ,  H01F 19/00 Z ,  H01F 27/24 E ,  H01F 31/06 D ,  H01F 31/06 501 A ,  H01F 31/06 501 D