特許

J-GLOBAL ID：200903054281734626

重ね合わせ精度測定パターン

発明者： 引地 邦彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-170130
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017718
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 リソグラフィーの際の重ね合わせ精度を正確に測定することができる重ね合わせ精度測定パターンを提供する。【構成】 基板6上に形成される平面矩形状の測定用下地パターン11と測定用下地パターン11が形成された基板5上のレジスト膜12aで形成される測定用上層パターン12とからなる重ね合わせ精度測定パターン1である。測定用上層ターン12は、所定のパターン幅Wのパターンを平面矩形リング上に配置してなり、測定用下地パターン11の一側壁と測定用上層パターン12の一側壁とが平行になる状態で形成される。これによって、測定用上層パターン12を構成するレジストの体積を抑えてパターンの熱変形を防止する。また、測定用上層パターン12をネガレジストで形成した場合には、露光光の照射幅を所定幅にして露光光の回折角を所定値以上にし、露光部への高次回折光の侵入を抑える。

請求項（抜粋）：

基板上に形成される平面矩形状の測定用下地パターンと、当該測定用下地パターンが形成された前記基板上を覆うレジスト膜で形成される測定用上層パターンとからなる重ね合わせ精度測定パターンにおいて、前記測定用上層パターンは、所定幅のパターンを平面矩形リング上に配置してなり、前記測定用下地パターンの一側壁と当該測定用上層パターンの一側壁とが平行になる状態で形成されることを特徴とする重ね合わせ精度測定パターン。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G01B 11/00 ,  G03F 9/00

FI (2件)：

H01L 21/30 502 M ,  H01L 21/30 522 Z