特許

J-GLOBAL ID：200903054285392959

半導体力学量センサの製造方法

発明者： 加納 一彦 ,  竹内 幸裕
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-240692
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068527
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 犠牲層エッチングを用いて基板上に梁構造の可動部を形成してなる半導体力学量センサの製造方法において、犠牲層エッチングの終点を容易に確認できるようにする。【解決手段】 固定電極14の形成領域に、犠牲層エッチングの終点検出パターン41〜46を形成しておき、犠牲層エッチングによる終点検出パターン41〜46の変位状態によって、おもり可動電極12、梁部13からなる可動部の下の犠牲層(酸化膜)の除去を確認する。

請求項（抜粋）：

基板の上に犠牲層を介して梁構造の可動部および固定部がパターニング形成された半導体層を有するものを用意し、前記可動部の下の前記犠牲層をエッチングにより除去して前記可動部を力学量の作用によって可動できるようにした半導体力学量センサの製造方法において、前記半導体層に前記エッチングの終点検出パターンを形成し、前記エッチングによる前記終点検出パターンの変位状態によって前記可動部の下の前記犠牲層の除去を確認することを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/84 ,  G01H 1/00 ,  G01H 11/00 ,  G01P 15/135

FI (4件)：

H01L 29/84 Z ,  G01H 1/00 B ,  G01H 11/00 ,  G01P 15/135

Fターム (15件)：

2G064AA11 ,  2G064AB07 ,  2G064AB23 ,  2G064BB05 ,  2G064BB33 ,  2G064BB61 ,  2G064BD05 ,  2G064BD44 ,  2G064BD62 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA22 ,  4M112CA36 ,  4M112DA02 ,  4M112EA02