特許

J-GLOBAL ID：200903054287663615

半導体装置の製造方法

発明者： 寺井 由佳 ,  勝山 亜希子 ,  矢野 航作
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-181289
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036110
出願日： 1995年07月18日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】 多層配線を形成するに際して、金属膜をCMP法で削るという工程を省略して信頼性が高く低コストの製造方法を提供する。【構成】 基板上1に光照射により酸を発生する酸発生剤を含有する酸発生剤含有層3を形成する工程と、酸発生剤含有層3にマスクを介して選択的に光を照射し光の照射された領域に酸を発生させる工程と、その後化学気相成長法により酸の発生した領域に選択的に金属層5を堆積する工程とを有する構成となっている。

請求項（抜粋）：

基板上に光照射により酸を発生する酸発生剤を含有する酸発生剤含有層を形成する工程と、前記酸発生剤含有層にマスクを介して選択的に光を照射し光の照射された領域に酸を発生させる工程と、その後化学気相成長法により酸の発生した領域に選択的に金属層を堆積する工程とを有する半導体装置の製造方法。