特許
J-GLOBAL ID：200903054288973847
薄膜ダイヤモンドの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-095333
公開番号（公開出願番号）：特開平5-294793
出願日： 1992年04月15日
公開日（公表日）： 1993年11月09日
要約：
【要約】【目的】 異種基体に必要な領域に、緻密でかつ密着性のある多結晶薄膜ダイヤモンドの製造方法を提供する。【構成】 基体1上にフォトレジスト2をパターン形成し、その上に中間層3を形成する。その後レジストを除去しパターニングされた中間層31が得られる。次に、2500Å以下の微細粉末ダイヤモンドをフォトレジストに混合したものを用意しておき、該フォトレジストを全面に塗布し、中間層上にパターン化した微細粉末ダイヤモンドを混合したフォトレジスト層4を形成させる。これをプレス機の圧力で加圧し、中間層31に微細粉末ダイヤモンド粒子5を圧入する。次に気相合成法により、該基体上の中間層に埋め込まれたダイヤモンドを核として所定の領域に緻密かつ密着性のある薄膜ダイヤモンドが形成される。
請求項（抜粋）：
基板上に薄膜ダイヤモンドを気相合成するにあたり、基板表面の所定の領域に中間層を少なくとも1層形成し、かつ該中間層表面に微細粉末ダイヤモンドを圧入し、該微細粉末ダイヤモンドを核としてダイヤモンド薄膜を成長させることを特徴とする薄膜ダイヤモンドの製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/04
, H01L 21/205
, H01L 33/00
