特許

J-GLOBAL ID：200903054292352350

炭化珪素単結晶の製造方法

発明者： 近藤 宏行 ,  木藤 泰男 ,  山崎 誠治
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-231251
公開番号（公開出願番号）：特開平11-079896
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1999年03月23日
要約：

【要約】【課題】 高品質かつ大口径のバルク状炭化珪素単結晶を的確に得ることができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 珪素単結晶基板8上にアチソン結晶と同様の組成を有する不純物を含んだ炭化珪素単結晶層5をCVD法にて成長させ、さらに炭化珪素単結晶層5上に昇華再結晶法にてアチソン結晶と同様の組成を有する不純物を含んだ炭化珪素単結晶6を形成する。そして、これら炭化珪素単結晶層5及び炭化珪素単結晶6を種結晶としてバルク状の炭化珪素単結晶7を形成する。つまり、不純物を含む炭化珪素単結晶層5という結晶欠陥がないものを種結晶として、炭化珪素単結晶7を形成することができるため、種結晶となる炭化珪素単結晶層5と同等の口径を有し、かつ高品質なバルク状の炭化珪素単結晶7を得ることができる。

請求項（抜粋）：

珪素基板(8)上に不純物を含む炭化珪素単結晶層(5)を成長させる工程と、前記珪素基板(8)を除去すると共に、前記不純物を含む炭化珪素単結晶層(5)を台座(1b)に固定し、この台座(1b)を結晶成長装置(1)に装着する工程と、前記不純物を含む炭化珪素単結晶層(5)を種結晶として、この炭化珪素単結晶層(5)上にバルク状炭化珪素単結晶(7)を成長させる工程とを備えたことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。