特許
J-GLOBAL ID：200903054292699784
化合物半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-207651
公開番号（公開出願番号）：特開2003-022987
出願日： 2001年07月09日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：
【要約】【課題】 従来、ウェハのオリエンテーションフラットを[01バー1バー]方向に形成し、オリエンテーションフラットと垂直、水平方向にダイシングすると、切断時のチッピングが多発しており、半導体素子の収率の低下や、ダイシングスピードを落として作業するため、作業効率が向上しないなどの問題があった。【解決手段】 オリエンテーションフラットを形成した[01バー1バー]方向に対して45度に交差するように各チップを配列したマスクを用いて、ウェハにパターンを形成する。[01バー1バー]方向に対して45度の方向にダイシングできるため、チッピングが大幅に低減する。これによりダイシングストリートのマージンを低減できるので、チップサイズがシュリンクし、ウェハ収率が向上する。ダイシングスピードも速くできるので、作業効率も向上する。
請求項（抜粋）：
ウェハのオリエンテーションフラットに対して斜め方向に各チップが配列されたマスクを用いてパターンを形成する工程と、前記ウェハをダイシングする工程とを具備することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/301
, G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
G03F 1/08 D
, G03F 7/20 521
, H01L 21/78 L
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 514 B
2H095BB02
, 5F046AA26
, 5F046CB17
